RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Винниченко Максим Яковлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Terahertz Few-particle Magnetoabsorption in Asymmetric Ellipsoidal Ge/Si QD

    Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  562
  2. Анизотропия поляризации межзонной фотолюминесценции в $n$-InAs, индуцированная электрическим полем

    Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  505–512
  3. Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах $p$-GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  629–636
  4. Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона в структурах с двойными квантовыми ямами в продольном электрическом поле

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  378–382
  5. Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1445–1450
  6. Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1473–1477
  7. Исследование оптических свойств фотодитазина для расширения возможностей фотодинамической терапии

    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, 2014, № 4(206),  110–117
  8. Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1599–1603
  9. Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1526–1529
  10. Динамика фотолюминесценции в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1581–1586
  11. Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1451–1454


© МИАН, 2026