Козловский Виталий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229
2. Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196
3. Создание NV$^-$-дефектов в карбиде кремния 6$H$–SiC облучением электронами высоких энергий
   
   Физика твердого тела, 66:4 (2024),  537–541
4. Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373
5. Температурная зависимость скорости удаления носителей в 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  482–484
6. Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52
7. Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  743–750
8. Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576
9. Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  53–57
10. Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation
    
    Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1915
11. Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  809–813
12. Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445
13. Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37
14. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
15. Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452
16. Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  991–994
17. Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  555–561
18. Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1651–1655
19. Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1532–1534
20. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
21. Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  327–332
22. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
23. Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  311–316
24. Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  63–67
25. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
26. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388
27. Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного $p$-4H-SiC (CVD)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1198–1201
28. О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  61–67
29. Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1473–1478
30. Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1339–1343
31. О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1329–1331
32. Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1033–1036
33. Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации
    
    Письма в ЖТФ, 40:15 (2014),  45–49
34. Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  473–481
35. Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  90–94
36. Компенсация проводимости $p$-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1188–1190
37. Распределение по энергии атомов отдачи и формирование радиационных дефектов в пленках карбида кремния при протонном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  145–148
38. Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния
    
    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  105–110
39. Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  706–712
40. Диффузия примеси замещения в облученном ионами кристалле
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2175–2178