Овешников Леонид Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхпроводимость в тонких пленках дираковского полуметалла Cd$_{3}$As$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  369–372
2. Vapor-phase synthesis and magnetoresistance of (Cd$_{1-x}$Zn$_x$)$_3$As$_2$ ($x=0.007$) single crystals
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  174–175
3. Квантовые поправки и магнитотранспорт в пленках 3D дираковского полуметалла Cd$_{3-x}$Mn$_{x}$As$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1479–1484
4. Прыжковая проводимость в нанокомпозитах поли-$n$-ксилилен-Fe
   
   Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  79–86
5. Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$, легированных Eu
   
   Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017),  506–514
6. Квантовые поправки к проводимости и аномальный эффект Холла в квантовых ямах InGaAs с пространственно отделенной примесью Mn
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1364–1371
7. Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016),  651–657
8. Аномальный эффект Холла в разбавленном магнитном полупроводнике In$_{1-x}$Mn$_{x}$Sb с кластерами MnSb
   
   Письма в ЖЭТФ, 101:2 (2015),  136–142
9. Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  942–950
10. Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In$_x$Ga$_{1-x}$As со вставками InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  204–213
11. Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным $\delta$-слоем Mn
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:9 (2014),  648–653