RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Шварц Наталия Львовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние свойств структурированной поверхности подложки на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование Монте-Карло)

    Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  612–619
  2. Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)

    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  160–164
  3. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)

    Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
  4. Concentric GaAs nanorings growth modelling

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  520
  5. Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  514
  6. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  63–70
  7. Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)

    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  917–925
  8. Решеточная модель Монте-Карло для изучения процессов формирования наноструктур

    Выч. мет. программирование, 15:3 (2014),  388–399
  9. Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO$_2$ и Si

    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  550–555
  10. Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  130–135


© МИАН, 2026