Настовьяк Алла Георгиевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  37–41
2. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
3. Concentric GaAs nanorings growth modelling
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  520
4. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  63–70
5. Решеточная модель Монте-Карло для изучения процессов формирования наноструктур
   
   Выч. мет. программирование, 15:3 (2014),  388–399
6. Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло
   
   Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  130–135