Руденко Константин Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Термостабильный сегнетоэлектрик HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:12 (2025),  945–951
2. Деградация значения сопротивления в низкоомном состоянии в структуре на основе HfO$_2$/HfO$_X$N$_Y$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  451–454
3. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок на 3$D$-наноструктуры: влияние наклона стенок и аспектного отношения тренчей
   
   ЖТФ, 88:10 (2018),  1573–1580
4. Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением
   
   ЖТФ, 88:8 (2018),  1264–1272
5. Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения пленок на 3D-структурах с высоким аспектным отношением
   
   ЖТФ, 88:2 (2018),  243–250
6. Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  643–649