Горшков Алексей Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
   
   ЖТФ, 92:10 (2022),  1582–1587
2. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  833–838
3. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  723–727
4. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
5. Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1421–1424
6. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  651–655
7. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
8. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1447–1450
9. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  563–568
10. Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1640–1643
11. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1411–1414
12. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  399–405
13. Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  145–148
14. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014),  175–180
15. Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1617–1620
16. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1609–1612
17. Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1542–1545
18. Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  194–197