|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424
-
Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs
Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1006–1014
-
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 651–655
-
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1447–1450
-
Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs
Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1640–1643
-
Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки
Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1411–1414
-
Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 399–405
-
Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 145–148
-
Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 175–180
-
Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs
Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1609–1612
-
Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs
Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1542–1545
© , 2026