RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Волкова Наталья Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1421–1424
  2. Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1006–1014
  3. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  651–655
  4. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1447–1450
  5. Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1640–1643
  6. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1411–1414
  7. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  399–405
  8. Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  145–148
  9. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией

    Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014),  175–180
  10. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1609–1612
  11. Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1542–1545


© МИАН, 2026