Шашкин Илья Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
2. Оптимизация дизайна гетероструктуры InGaAsP/InP мощных лазерных диодов, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  171–178
3. Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  96–105
4. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378
5. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
6. Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  6–10
7. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
8. Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)
   
   Квантовая электроника, 52:9 (2022),  794–798
9. Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  460–465
10. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348
11. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
    
    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
12. Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  484–489
13. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
14. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
15. Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  722–726
16. Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  147–152
17. Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO$_{2}$/GaAs(100) и V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100), прошедших термическую обработку
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1074–1079
18. Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  839–843
19. Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1491–1498
20. Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37
21. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
22. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
23. Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1108–1114
24. Подавление процесса делокализации носителей заряда в мощных импульсных полупроводниковых лазерах
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  10–16
25. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
    
    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
26. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
27. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
28. К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1377–1382
29. Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  710–715
30. Анализ излучательной эффективности мощных полупроводниковых лазеров при выполнении пороговых условий генерации для замкнутой моды
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  705–709
31. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  388–391
32. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
    
    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996
33. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238
34. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233
35. Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  252–257
36. Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1417–1421
37. Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1411–1416
38. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836
39. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  817–821
40. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  688–693