Капитонов Владимир Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация дизайна гетероструктуры InGaAsP/InP мощных лазерных диодов, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  171–178
2. Источники мощных лазерных импульсов субнаносекундной длительности на основе структур тиристорный ключ-лазерный диод для спектрального диапазона 1500 nm
   
   Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  49–52
3. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
   
   Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
4. Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  340–342
5. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472
6. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348
7. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
8. Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  734–742
9. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
10. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
11. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
12. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
    
    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996
13. Полупроводниковые лазеры (1020–1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1082–1086
14. Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1344–1348
15. Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1417–1421
16. Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  246–250