Веселов Дмитрий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Источники мощных лазерных импульсов субнаносекундной длительности на основе структур тиристорный ключ-лазерный диод для спектрального диапазона 1500 nm
   
   Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  49–52
2. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
3. Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  174–178
4. Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173
5. Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа
   
   Квантовая электроника, 51:11 (2021),  987–991
6. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
7. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
8. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
   
   Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
9. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
10. Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  129–132
11. Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128
12. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
13. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером
    
    Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125
14. Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки
    
    Квантовая электроника, 50:9 (2020),  822–825
15. Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  722–726
16. Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1172–1174
17. AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом
    
    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  661–665
18. Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 49:5 (2019),  488–492
19. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200
20. Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
    
    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003
21. Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами
    
    Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274
22. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
23. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
24. Подавление процесса делокализации носителей заряда в мощных импульсных полупроводниковых лазерах
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  10–16
25. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
    
    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
26. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
27. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
28. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
29. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
    
    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996
30. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238
31. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233