Беляков Людвиг Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности слоев аморфного кремния, полученных методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы, содержащей четырехфтористый кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  312–315
2. Свободные люминесцирующие слои пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1636–1639
3. Оптические свойства нанопористого кремния, пассивированного железом
   
   Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  669–673
4. Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001),  105–107
5. Резонансные эффекты, обусловленные возбуждением ПЭВ при почти нормальном падении пучка света на синусоидальную поверхность
   
   ЖТФ, 61:6 (1991),  100–105
6. Поверхностные электромагнитные волны и фотоприемники (обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1281–1296
7. Узкополосные селективные фотоприемники на основе структур Шоттки
   
   Письма в ЖТФ, 16:6 (1990),  72–75
8. Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл$-$полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  1966–1970
9. Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении «медленных» поверхностных электромагнитных волн
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  461–465
10. Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  906–910
11. Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник с гофрированной поверхностью
    
    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  757–760
12. Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  693–697
13. Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации
    
    Письма в ЖТФ, 13:5 (1987),  261–265
14. Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  876–880
15. Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1145–1149
16. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
17. Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1162–1165
18. Исследование оптических переходов в полупроводниках фотоэлектрохимическим методом
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  752–755
19. Запись голограмм на металле методом фотохимического травления
    
    Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  471–474
20. О плавлении свинца в ударной волне
    
    Докл. АН СССР, 170:3 (1966),  540–543