RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Сапега Виктор Федорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

    УФН, 189:8 (2019),  849–880
  2. Basic requirements of spin-flip Raman scattering on excitonic resonances and its modulation through additional high-energy illumination in semiconductor heterostructures

    Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1583
  3. Interfacial ferromagnetism in a Co/CdTe ferromagnet/semiconductor quantum well hybrid structure

    Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1566
  4. Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn

    Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1556–1565
  5. Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2240–2245
  6. Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036
  7. Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As

    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27
  8. Ионизация экситона, движущегося перпендикулярно магнитному полю в сверхрешетке GaAs/Al${_x}$Ga$_{1-x}$As

    Письма в ЖЭТФ, 74:1 (2001),  34–37
  9. Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния

    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1200–1208
  10. Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  761–779
  11. Гофрировка валентной зоны кристаллов фосфида индия

    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  569–574
  12. Вероятность междолинных ${\Gamma\to L}$-переходов в кристаллах арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1030–1032
  13. Спиновый парамагнетизм электронов в кристаллах GaAs

    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3731–3732
  14. Спектр и поляризация фотолюминесценции в непрямозонных полупроводниковых кристаллах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As

    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1869–1874
  15. Энергетическая релаксация и спиновая деполяризация фотовобужденных дырок спин-отщепленной зоны арсенида галлия

    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  793–796
  16. Анизотропия линейной поляризации горячей фотолюминесценции в $p$-GaAs

    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2650–2657
  17. Рекомбинационная фотолюминесценция горячих электронов в кристаллах InP

    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2210–2211
  18. Циркулярная поляризация горячей фотолюминесценции и спиновая деполяризация горячих электронов в кристаллах арсенида галлия

    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3369–3372
  19. Интенсивность спектра фотолюминесценции и времена испускания оптических фононов в кристаллах GaAs и гетероструктурах GaAs$-$GaAlAs

    Физика твердого тела, 25:1 (1983),  104–109


© МИАН, 2026