|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние водорода на термоэлектрический сигнал напряжения в слоистой структуре Pt/WO$_{x}$/6$H$-SiC/Ni/Pt
Письма в ЖТФ, 43:17 (2017), 27–35
-
Действие водорода на электрофизические характеристики структурных элементов тонкопленочной системы Pt/WO$_x$/6H-SiC
Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1262–1272
-
Реализация энергоэкономного режима детектирования водорода с применением полупроводниковой структуры Pt/WO$_x$/SiC
Письма в ЖТФ, 41:17 (2015), 18–26
-
Об особенностях детектирования водорода полупроводниковой структурой, полученной на подложке 6H-SiC комбинированным методом ионной имплантации и осаждения платины
Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 621–630
-
Высокотемпературный детектор водорода со структурой Pt/Pt+/$n$-6H–SiC
Письма в ЖТФ, 39:18 (2013), 78–86
-
Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC
Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 416–424
-
Ионная имплантация платины из импульсной лазерной плазмы для формирования детектора водорода на кристалле $n$-6H-SiC
Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 694–701
-
Электрофизические характеристики тонкопленочных структур, созданных импульсным лазерным осаждением металлов Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл $n$-6H-SiC
Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010), 1229–1235
-
Влияние энергетических параметров осаждаемого лазерно-инициированного потока атомов платины на характеристики тонкопленочной структуры Pt/$n$-6H-SiC
Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 556–563
-
Температурная зависимость времени релаксации фотопроводимости
$n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в микроволновом поле
Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 171–173
-
Измерение решеточной составляющей теплопроводности кремния методом объемной фотодефлекционной спектроскопии
ТВТ, 26:6 (1988), 1242–1244
© , 2026