Орлов Лев Константинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокочастотные свойства двумерной квантовой сверхрешетки в сильном однородном электрическом поле
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  78–88
2. Особенности транспорта электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с неассоциативным законом дисперсии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  241–250
3. Микрокристаллическая структура и светоизлучающие свойства 3$C$-SiC островковых пленок, выращиваемых на поверхности Si(100)
   
   Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1322–1330
4. Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  995–1005
5. Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1006–1014
6. Влияние атомарных пучков кремния и германия на кинетику роста слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ в методе Si–GeH$_{4}$ молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   ЖТФ, 87:3 (2017),  427–437
7. Особенности электронного транспорта в релаксированных транзисторных гетероструктурах Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ с высоким уровнем легирования
   
   Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  970–982
8. Особенности двухкомпонентного распада молекул моносилана на поверхности кремния в условиях эпитаксиального процесса
   
   Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  852–861
9. Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии
   
   Физика твердого тела, 54:4 (2012),  666–672
10. Особенности кинетики распада молекул дисилана на ростовой поверхности кремния в установках вакуумной газофазной эпитаксии
    
    ЖТФ, 82:11 (2012),  83–92
11. Особенности и механизмы фотолюминесценции наноструктурированных пленок карбида кремния, выращиваемых на кремнии в вакууме
    
    Физика твердого тела, 53:9 (2011),  1706–1712
12. Вакуумная гидридная эпитаксия кремния: кинетика пиролиза моносилана на ростовой поверхности
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  566–575
13. Самоформирование сеток квантовых нитей в пористых сверхрешетках InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:9 (2002),  584–1
14. Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешеток Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ с напряженными слоями
    
    Физика твердого тела, 32:7 (1990),  1933–1940
15. Пьезомодуляционный эффект в структурах с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  987–992
16. Комбинационное рассеяние света на локальных колебаниях твердых растворов Ge$_{1-x}$Si$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  292–297
17. Особенности напряженных сверхрешеток Ge$-$Ge$_{1-x}{-}$Si$_{x}$ с селективно легированными слоями
    
    Письма в ЖТФ, 15:21 (1989),  77–81
18. Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge$-$Ge$_{1-x}\text{Si}_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1994–2000
19. Спектры электроотражения света от поверхности сверхрешеток Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1962–1967
20. Поглощение света в квантовых полупроводниковых слоях и сверхрешетках в присутствии сильных электрических полей
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  710–717
21. Преобразование электромагнитных сигналов субмиллиметрового диапазона волн в сверхрешетке $Ge-Ge_{1-x}\,Si_{x}$
    
    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  734–736
22. Спектры электроотражения света от периодических структур Ge$_{1-x_{1}}$Si$_{x_{1}}{-}$Ge$_{1-x_{2}}$Si$_{x_{2}}$ со сверхтонкими слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  118–122
23. Нелинейные резонансные особенности электрических характеристик сверхрешеток в условиях сильного межподзонного туннелирования электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1877–1881
24. Нелинейные высокочастотные свойства размерно-квантованных полупроводниковых слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  376–378