Растегаева Марина Геннадьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
2. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
3. Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  710–715
4. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  388–391
5. Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков
   
   Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911
6. Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1078–1081
7. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238
8. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233
9. Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  252–257
10. Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1266–1273
11. InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1640–1644