Бахвалов Кирилл Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  340–342
2. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348
3. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
4. Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа
   
   Квантовая электроника, 51:11 (2021),  987–991
5. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
6. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
7. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
8. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
9. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
10. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
11. Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682
12. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
    
    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
13. Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков
    
    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911
14. Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1078–1081
15. Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128
16. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238