Лешко Андрей Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Многомодовые полупроводниковые лазеры с поверхностной распределенной обратной связью
   
   Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1131–1133
2. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
   
   Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
3. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
4. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348
5. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
6. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
7. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
8. Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров
   
   Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097
9. Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  710–715
10. Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков
    
    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911
11. Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128
12. Инжекционные полупроводниковые лазеры InGaAs/GaAs с волноводом на одиночной квантовой яме
    
    Письма в ЖТФ, 39:8 (2013),  9–16
13. Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  252–257
14. Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1431–1438
15. Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  682–687
16. Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри–Перо
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  672–676
17. Особенности синхронизации мод в лазерах с квантовой ямой в широком волноводном слое
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  29–36