Золотарев Василий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резонаторы ИК лазеров на основе двумерных фотонных кристаллов для организации поверхностного вывода излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  113–121
2. Оптические потери в резонаторе полупроводникового лазера, сформированного фотонным кристаллом
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  36–40
3. Многомодовые полупроводниковые лазеры с поверхностной распределенной обратной связью
   
   Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1131–1133
4. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
   
   Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
5. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
6. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
7. Селекция мод латерального волновода для реализации одномодового режима работы лазеров с распределенным брэгговским зеркалом
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  889–894
8. Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173
9. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
10. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
11. Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1491–1498
12. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
13. Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  834–838
14. Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1429–1433
15. Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097
16. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
17. Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  710–715
18. Анализ излучательной эффективности мощных полупроводниковых лазеров при выполнении пороговых условий генерации для замкнутой моды
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  705–709
19. Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков
    
    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911
20. Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128
21. Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  252–257