Булашевич Кирилл Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
2. Приборы на нанотрубках: микроскопическая модель
   
   Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  239–244