Сошников Илья Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  265–269
2. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135
3. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  45–49
4. Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  3–6
5. Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  530–533
6. Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35
7. Влияние состава источника на планарный рост нитевидных наноструктур при каталитическом росте в квазизамкнутом объеме
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1082–1087
8. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
9. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
10. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50
11. MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542
12. Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  16–19
13. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
14. Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717
15. Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40
16. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
17. Влияние молекулярного веса поливинилпирролидона на структуру, спектральные и нелинейно-оптические свойства композиционных материалов, содержащих наночастицы CdS/ZnS
    
    Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  608–614
18. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468
19. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
20. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
21. Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249
22. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
23. GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511
24. The features of GaAs nanowire SEM images
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510
25. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
26. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
27. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
28. Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318
29. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
30. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
31. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
32. Формирование покрытий на основе ZnO с использованием растворов, содержащих высокомолекулярный поливинилпирролидон
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  49–55
33. Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79
34. Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
    
    Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649
35. Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  865–868
36. Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503
37. Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1114–1116
38. Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846
39. Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  211–216