Голощапов Станислав Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в $n$-Ge : As вблизи фазового перехода изолятор–металл
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1339–1345
2. Определение магнитной восприимчивости “плохих” проводников с помощью электронного парамагнитного резонанса
   
   ЖТФ, 83:12 (2013),  103–108
3. Особенности анизотропии микроволнового низкотемпературного магнитосопротивления слабо легированного $p$-Ge, обусловленные наличием в нем легких и тяжелых дырок
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1314–1322
4. Спин-пайерлсовский переход в хаотической примесной подрешетке полупроводника
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  735–741
5. Обнаружение сигналов магнитного резонанса с аномальной дисперсией и двух типов изолированных центров марганца в кристалле халькопирита (Zn,Mn)GeP$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003),  686–690
6. Амплитудные характеристики спиновых устройств на основе ЯМР
   
   ЖТФ, 55:12 (1985),  2361–2367