Tiginyanu Ivan Mikhailovich

Publications in Math-Net.Ru

1. Phonon spectrum and band edge absorption in $\mathrm{CdAl}_{2}\mathrm{S}_{4}$
   
   Fizika Tverdogo Tela, 34:3 (1992),  967–969
2. Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов ZnAl$_{2(1-x)}$Ga$_{2x}$S$_{4}$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  2038–2039
3. Raman spectra of the $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{S}_4$ compound with various ordering of cation sublattice
   
   Dokl. Akad. Nauk SSSR, 315:6 (1990),  1365–1367
4. Change of close order in $\mathrm{Hg}_x\mathrm{Cd}_{1-x}\mathrm{Te}$ surface layers under $\mathrm{He}^{2+}$ ion implantation
   
   Dokl. Akad. Nauk SSSR, 313:2 (1990),  330–333
5. Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в $n$-InP
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:11 (1990),  2034–2036
6. Influence of the tetragonal compression of lattice on the luminescent properties of the $\mathrm{A}^\mathrm{II}\mathrm{B}_2^\mathrm{III}\mathrm{C}_4^\mathrm{VI}$ compounds
   
   Dokl. Akad. Nauk SSSR, 305:2 (1989),  347–350
7. О фазовом переходе порядок$-$беспорядок в катионной подрешетке соединения ZnGa$_{2}$Se$_{4}$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1725–1727
8. Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами с энергией ${3.5\div4}$ МэВ
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1581–1583
9. Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1568–1571
10. Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1814–1817
11. Влияние отжига на рассеяние света примесными скоплениями в полуизолирующих кристаллах InP : Fe и GaAs : Cr
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1112–1114
12. Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1110–1112
13. Влияние давления паров мышьяка на свойства нелегированного полуизолирующего GaAs при термообработке
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1108–1110
14. Антиструктурные дефекты в соединениях $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  3–15
15. Optical properties of $\mathrm{HgGa}_{2}\mathrm{Se}_{4}$ near the fundamental absorption edge
    
    Fizika Tverdogo Tela, 28:4 (1986),  1179–1180
16. Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2131
17. Temperature Dependence of Absorption Edge in CdGa$_{2}$Se$_{4}$ and CdIn$_{2}$Se$_{4}$ Compounds
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1914–1916
18. Effect of Annealing and Implantation of Selenium Ions on Photocondttction and Luminescence Spectra of HgGa$_{2}$Se$_{4}$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1116–1118
19. Photoconduction of Indium Phosphide due to P$_{\text{In}}$ Anti-Structural Defect
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1310–1312
20. Aggregate of Electrically Active Impurities in Indium-Phosphide Single Crystals
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  810–813
21. A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ Wide-Band Semiconductors: Optical and Photoelectric Properties and Prospects of Application (Review
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  193–212
22. Properties of $p{-}n$ Junction Produced by Magnesiu-Ion Implantation into InP
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  160–161
23. Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1812–1815
24. Фотолюминесценция кристаллов InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2177–2179
25. Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1524–1525
26. Глубокие центры в не легированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  593–598
27. Investigation of some photoelectric and luminescence properties of γ -La₂S₃ single crystals
    
    Kvantovaya Elektronika, 9:7 (1982),  1515–1517