RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Vavilov Viktor Sergeevich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Persistent photoconductivity in semiconducting АIIIВV compounds

    UFN, 169:2 (1999),  209–212
  2. Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors

    UFN, 167:4 (1997),  407–412
  3. Diamond in solid state electronics

    UFN, 167:1 (1997),  17–22
  4. Semiconductors in the modern world

    UFN, 165:5 (1995),  591–594
  5. Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damage

    UFN, 165:3 (1995),  347–358
  6. Possibilities and limitations of ion implantation in diamond, and comparison with other doping methods

    UFN, 164:4 (1994),  429–433
  7. Physics and applications of wide bandgap semiconductors

    UFN, 164:3 (1994),  287–296
  8. Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми электронами

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991),  762–766
  9. Исследование спектров катодолюминесценции кристаллов моноклинного дифосфида цинка, легированного медью

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2132–2135
  10. Взаимодействие имплантированных атомов никеля с дефектами и примесями в природном алмазе (по данным люминесценции)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  156–161
  11. Лазерный отжиг имплантрованного GaAs. Роль имплантационных дефектов

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1563–1568
  12. Cathodoluminescence of ZnAs$_{2}$ Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1447–1450
  13. Stimulated Radiation under Electron Excitation of Zinc-Diphosphide Crystals of Monoclinic Modification

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1141–1143
  14. Radiative Recombination of Uniaxially Deformed ZnP$_{2}$ and CdP$_{2}$ Single Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1016–1020
  15. Study of Cathodoluminescence of ZnSe Crystals Thermally Treated in Vacuum

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  191–194
  16. Electromodulation Spectra of V-Doped High-Resistance GaAs

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1114–1116
  17. Photoelectric and Optical Properties of $a$-Si : H Films with Phosphorus and Boron Implanted Ions

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  818–821
  18. Intracenter Electroluminescence of Vanadium in GaAs

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  363–365
  19. Peculiarities of the Spectra of Surface-State Density of Si$-$SiO$_2$ Structures Irradiated by Ar$^+$ Ions of Different Energies

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  682–686
  20. Some physical aspects of ion implantation

    UFN, 145:2 (1985),  329–346
  21. Оптические свойства и структура пленок $a$-Si, свободных от подложки

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984),  2138–2141
  22. Экспериментальное обнаружение уровней Ваннье в $n$-GaAs, легированном хромом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1882–1885
  23. Formation and Temperature Stability of Defects in Near-to-Surface Si Layer of Si$-$SiO$_2$ Structures Implanted by Tl Ions

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984),  696–699
  24. Спектральные зависимости фотопроводимости $a$-Si : Н в ИК области спектра

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1526–1528
  25. О фотопроводимости $a$-Si$-$H в ИК области спектра

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1311–1313
  26. Локальные энергетические уровни в кремнии, обусловленные имплантацией ионов титана в структуры Si$-$SiO$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  299–304
  27. Semiconducting diamonds

    UFN, 118:4 (1976),  611–639
  28. Semiconductor diamonds

    UFN, 108:3 (1972),  600–601
  29. Electron- hole transition in diamond obtained by means of boron and phosphorus ion incorporation

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 200:4 (1971),  821–824
  30. Optical quantum generator on cadmium telluride with electronic excitation

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 164:1 (1965),  73–74
  31. The nature and energy spectrum of radiation defects in semiconductors

    UFN, 84:3 (1964),  431–450
  32. Международная конференция по дефектам кристаллов (Киото, 7–12 сентября 1962 г.)

    UFN, 79:1 (1963),  153–159
  33. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (Вторая Международная конференция по фотопроводимости)

    UFN, 76:4 (1962),  749–758
  34. Radiation ionization processes in germanium and silicon crystals

    UFN, 75:2 (1961),  263–276
  35. Современная физика полупроводников

    UFN, 69:1 (1959),  149–156
  36. Radiative recombination in semiconductors

    UFN, 68:2 (1959),  247–260
  37. Energy of ionization by electrons in germanium crystals

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 112:6 (1957),  1020–1022
  38. Кремниевые солнечные батареи как источники электрического питания искусственных спутников Земли

    UFN, 63:1 (1957),  123–129
  39. Полупроводниковые преобразователи энергии излучений

    UFN, 56:1 (1955),  111–130
  40. Ионный микропроектор

    UFN, 47:1 (1952),  141–145
  41. Полупроводниковые триоды без точечных контактов

    UFN, 46:1 (1952),  96–106
  42. “Счётчик Черенкова” для частиц космического излучения

    UFN, 44:3 (1951),  443–446
  43. Осциллограф с бегущей волной

    UFN, 44:2 (1951),  274–277
  44. Наблюдение отдельных молекул с помощью электронного микропроектора

    UFN, 42:4 (1950),  580–583
  45. Рентгеновский микроскоп

    UFN, 42:4 (1950),  577–580
  46. Работа кристаллических триодов в области частот 5–25 Мгц

    UFN, 42:3 (1950),  493–495
  47. Внесение местных центров (уровней) проводимости в полупроводники ядерной бомбардировкой

    UFN, 41:1 (1950),  109–112
  48. Усиление токов высокой частоты кристаллическими германиевыми триодами

    UFN, 40:1 (1950),  120–141
  49. Новая теория возникновения первичных космических лучей

    UFN, 39:4 (1949),  612–619
  50. Опыты по радиолокации Луны

    UFN, 39:3 (1949),  359–370

  51. Handbook of industrial diamonds and diamond films

    UFN, 168:10 (1998),  1149–1152
  52. Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP
    byA Dargys and J Kundrotas

    UFN, 166:7 (1996),  807–808
  53. Properties of diamond and diamond films

    UFN, 165:9 (1995),  1102–1103
  54. The properties of natural and synthetic diamond

    UFN, 163:11 (1993),  99–101
  55. О XX Международной конференции по физике полупроводников

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:7 (1991),  1263–1273
  56. Viktor Leopol'dovich Bonch-Bruevich (Obituary)

    UFN, 154:2 (1988),  335–336
  57. Bentsion Moiseevich Vul (Obituary)

    UFN, 149:2 (1986),  349–350
  58. Распыление твердых тел бомбардировкой частицами

    UFN, 144:3 (1984),  544–545
  59. Ion implantation: equipment and techniques

    UFN, 143:2 (1984),  336–337
  60. Ion implantation techniques

    UFN, 140:4 (1983),  737–738
  61. Bentsion Moiseevich Vul (on his eightieth birthday)

    UFN, 140:1 (1983),  161–162
  62. Bentsion Moiseevich Vul (On the occasion of his sixtieth birthday)

    UFN, 80:4 (1963),  703–705
  63. Проблема полупроводников

    UFN, 76:4 (1962),  759–761
  64. Сборник “Проблема полупроводников” т. 5

    UFN, 74:4 (1961),  759–761
  65. Проблемы физики полупроводников. Сборник статей

    UFN, 65:3 (1958),  547–548

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2026