Sobolev N A

Publications in Math-Net.Ru

1. A method of ensuring fault tolerance in redundant computer control systems
   
   Avtomat. i Telemekh., 2000, no. 2,  172–182
2. Mechanisms of operating systems supporting fault-tolerance of multicomputer control systems
   
   Avtomat. i Telemekh., 1995, no. 8,  3–63
3. A method for localization of byzantine and nonbyzantine faults
   
   Avtomat. i Telemekh., 1992, no. 5,  126–138
4. Investigation of silicon by diffuse gamma-ray and X-ray scattering
   
   Fizika Tverdogo Tela, 34:8 (1992),  2548–2554
5. Effect of excess eigen point defects on the formation of electrically active centers in silicon $p{-}n$ structures under thermal treatment
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1938–1944
6. Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими уровнями
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1324–1331
7. Влияние атмосферы термообработки на диффузию алюминия в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  807–812
8. Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в $n$-InP
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:11 (1990),  2034–2036
9. Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1785–1789
10. HIGH-VOLTAGE AVALANCHE-DIODE STRUCTURES OF LARGE AREA
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:10 (1989),  154–156
11. Энергетические уровни в CuInS$_{2}$, связанные с собственными дефектами
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1696–1699
12. Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами с энергией ${3.5\div4}$ МэВ
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1581–1583
13. О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1173–1176
14. Уровни дефектов термообработки в кремнии под гидростатическим давлением
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  719–722
15. Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1850–1852
16. Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой $p{-}n$-переходов
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  536–538
17. GENERATION OF LATTICE-DEFECTS UNDER SILICONE THERMAL-TREATMENT IN CHLORINE-CONTAINING ATMOSPHERE
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:21 (1988),  1929–1933
18. Pulsed Annealing of Nucleus Doped Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  1968–1973
19. Mechanisms of Current Flowing in $n$-Si${-}p^{+}$-SiGe Structures
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1669–1672
20. Temporal Statistic Analysis of Pulse-Generation Processes in High-Voltage Microplasmas
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  133–136
21. ELIMINATION OF SWIRL-DEFECTS DURING THERMAL-TREATMENT OF CRUCIBLELESS SILICON PLATES IN CHLORO-CONTAINING ATMOSPHERE
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:7 (1985),  1457–1459
22. EFFECT OF ANNEALING MEDIA ON PROPERTIES OF RADIATION-ALLOYED SILICONS
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:11 (1984),  645–649