Dmitruk N L

Publications in Math-Net.Ru

1. Interaction of surface plasmons with interference modes in thin-film nanostructures
   
   Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 99:3 (2014),  146–149
2. Physical nature of anomalous optical transmission of thin absorptive corrugated films
   
   Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 89:2 (2009),  75–79
3. Anomalous photoemission current through a metal semiconductor contact with surface microrelief
   
   Fizika Tverdogo Tela, 34:8 (1992),  2647–2654
4. INTERPHASE INTERACTIONS IN THIN-FILM SURFACE-BARRIER PT-GAAS STRUCTURES
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 62:8 (1992),  88–94
5. Study of laser gettering in GaAs by photoluminescence and frustrated total internal reflection
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992),  1688–1692
6. Effect of ion implantation of compensating impurity on $n^{+}$-GaAs optical properties
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:2 (1992),  352–357
7. LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF GAAS PLATES IMPLANTED BY O+ IONS
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:20 (1992),  41–45
8. Фоточувствительность барьеров Шоттки Au$-$GaAs с микрорельефной поверхностью (область собственного поглощения света)
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  487–492
9. DEPENDENCE OF RADIATION-STIMULATED ORDERING EFFECT ON SURFACE MICRORELIEF
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:23 (1991),  18–21
10. Surface plasma polaritons in a medium with a spatially inhomogeneous transition layer
    
    Fizika Tverdogo Tela, 32:10 (1990),  2857–2861
11. Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  287–291
12. SPECTROSCOPY OF DELTA-ALLOYED GAAS - SI LAYERS
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:9 (1990),  27–31
13. Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики контакта металл$-$полупроводник с барьером Шоттки. Фотоэмиссионные характеристики
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2113–2117
14. Изучение локальных центров в $p$-GaAs, легированном медью, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  729–732
15. К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989),  207–212
16. Radiational Rearrangement of Deep Centers in Gallium-Arsenide Barrier Structures
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  156–159
17. Effect of $\gamma$-Radiation on Surface Generation-Recombination in GaAs-Based Semiconductor Structures
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1640–1646
18. Radiation Ordering on the Metal-InP Interface
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  326–329
19. Effect of Radiation on Radiative and Nonradiative Recombination in Heterosystems Based on GaAs and Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  322–325
20. STRUCTURE-DOPED ORDERING AFFECTED BY LOW-SCALE PENETRATING RADIATION
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:10 (1985),  1977–1982
21. Эффект радиационного упорядочения в гетеропереходах ($p$-Si)$-$($n$-GaP)
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1808–1811
22. To the Determination of Recombination Rate at the Interface of Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs Heterojunctions
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  402–407
23. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1349–1351