Vasil'ev Al'bert Vasilyvich

Publications in Math-Net.Ru

1. EFFECT OF INNER FLOWS IN ALLOY DURING THE EPITAXIAL LAYER GROWTH, ON THE MOVING SUBLAYER
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:1 (1989),  92–97
2. Параметры распределения дивакансий в нейтронно-облученном кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1519–1520
3. Особенности отжига дивакансии в кремнии, содержащем разупорядоченные области
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1076–1079
4. Поведение примеси золота в кремнии при радиационно-термических воздействиях
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989),  253–256
5. Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1137–1139
6. Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  998–1003
7. Влияние интенсивности облучения быстрыми нейтронами на процессы дефектообразования в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  692–696
8. Photoluminescent Studies of InGaAsP/InP Heterostructures with Active Region of $40\div 1000$ ÅThickness
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1217–1222
9. Capacity-Spectroscopy Study of Magnesium-Doped $n$-Type Silicon
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  684–687
10. Dependence of Rates of Defect-Complex Injection in $n$-Type Silicon on Electron-Irradiation Temperature
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  573–575
11. Change of Energy-Level System in the Gap as a Factor Controlling Rate of Reactions between Charged Delects in Semiconductors
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1132–1134
12. On the Divacancy Levels in the Gap of Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  737–739
13. Annealing of Divacancies in Silicon Irradiated by Fast Neutrons
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  561–564
14. On the Parameters of Regions of Disorder in Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  2073–2074
15. Accumulation of Point Defects in Silicon with Regions of Disorder Transformed by Annealing
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  952–955
16. Frequency-shift and spectrum broadening of picosecond light-pulses during its propagation in semiconductors
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:1 (1985),  34–38
17. Количественные оценки параметров образования основных радиационных дефектов в кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984),  2177–2181
18. Nonuniform broadening of an admixture center zero-phonon line at different conditions of plastic deformations of $\mathrm{CaF}_{2}:\mathrm{Eu}$ crystals
    
    Fizika Tverdogo Tela, 25:10 (1983),  3012–3018
19. О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования в кремнии $n$-типа
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1663–1666
20. Исследование методом DLTS отжига кремния $n$-типа, облученного нейтронами
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1155–1157
21. К вопросу о методике обработки спектров DLTS
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  162–164
22. Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей в кремнии $n$-типа
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  30–34