RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Fedirko V A

Publications in Math-Net.Ru

  1. Study of an equation for Abrikosov vortex pinning on a linear defect in a superconducting slab

    Mat. Model., 26:1 (2014),  33–41
  2. To modeling of electron tunneling from ultrathin blade cathode

    Mat. Model., 24:12 (2012),  13–22
  3. Matrix method for modeling of tunneling transport

    Mat. Model., 22:5 (2010),  3–14
  4. Field emission from silicon

    Mat. Model., 9:9 (1997),  75–82
  5. Particle method for simulation of the electron transport in the asymmetrical microvacuum structure

    Mat. Model., 7:9 (1995),  3–14
  6. Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991),  1607–1612
  7. Возможные квантовые особенности одномерного баллистического транспорта в полупроводниковых структурах

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1713–1715
  8. Electron Distribution under Diffuse Injection through a Heterojunction

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1756–1761
  9. Energy conversion into microwave oscillations of semiconductor plasma under ballistic transport conditions

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 291:1 (1986),  100–103
  10. TRANSFORMATION OF THE SURFACE ELECTROMAGNETIC-WAVE BY THE DIFFRACTION LATTICE ON THE DIELECTRIC FILM

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:5 (1986),  917–918
  11. Study of Current Flow in Submicrometer Semiconductor Structures at Low Temperatures

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1239–1242
  12. Влияние неоднородного разогрева носителей заряда при оже-рекомбинации на фотопроводимость полупроводников

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1823–1826
  13. К теории высокочастотных свойств баллистических биполярных гетеротранзисторов

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1303–1306
  14. High-Frequency Properties of Ballistic Bipolar Transistors with Inhomogeneous Base

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984),  1107–1110
  15. Special Features of High-Frequency Properties of Ballistic Bipolar Heterotransistors

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  845–849
  16. Ballistic and Quasi-Ballistic Transport in Semiconductor Structures (review)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  769–786
  17. Effect of Heating of Electrons and Holes on Intrinsic Photoconduction of Semiconductors in Conditions of Auger Recombination

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  191–194
  18. Отрицательная дифференциальная проводимость тонких полупроводниковых слоев при междолинном рассеянии электронов

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1340–1341
  19. Особенности высокочастотных свойств симметричной диодной структуры при баллистическом движении электронов

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  57–60


© Steklov Math. Inst. of RAS, 2026