|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Study of an equation for Abrikosov vortex pinning on a linear defect in a superconducting slab
Mat. Model., 26:1 (2014), 33–41
-
To modeling of electron tunneling from ultrathin blade cathode
Mat. Model., 24:12 (2012), 13–22
-
Matrix method for modeling of tunneling transport
Mat. Model., 22:5 (2010), 3–14
-
Field emission from silicon
Mat. Model., 9:9 (1997), 75–82
-
Particle method for simulation of the electron transport in the asymmetrical microvacuum structure
Mat. Model., 7:9 (1995), 3–14
-
Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности
дырочной плазмы
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991), 1607–1612
-
Возможные квантовые особенности одномерного баллистического
транспорта в полупроводниковых структурах
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1713–1715
-
Electron Distribution under Diffuse Injection through a Heterojunction
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987), 1756–1761
-
Energy conversion into microwave oscillations of semiconductor
plasma under ballistic transport conditions
Dokl. Akad. Nauk SSSR, 291:1 (1986), 100–103
-
TRANSFORMATION OF THE SURFACE ELECTROMAGNETIC-WAVE BY THE DIFFRACTION
LATTICE ON THE DIELECTRIC FILM
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:5 (1986), 917–918
-
Study of Current Flow in Submicrometer Semiconductor Structures at Low Temperatures
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986), 1239–1242
-
Влияние неоднородного разогрева носителей заряда
при оже-рекомбинации
на фотопроводимость полупроводников
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1823–1826
-
К теории высокочастотных свойств баллистических биполярных
гетеротранзисторов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984), 1303–1306
-
High-Frequency Properties of Ballistic Bipolar Transistors with Inhomogeneous
Base
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984), 1107–1110
-
Special Features of High-Frequency Properties of Ballistic Bipolar Heterotransistors
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 845–849
-
Ballistic and Quasi-Ballistic Transport in Semiconductor Structures (review)
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 769–786
-
Effect of Heating of Electrons and Holes on Intrinsic Photoconduction of Semiconductors
in Conditions of Auger Recombination
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984), 191–194
-
Отрицательная дифференциальная проводимость тонких полупроводниковых
слоев при междолинном рассеянии электронов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983), 1340–1341
-
Особенности высокочастотных свойств симметричной диодной структуры
при баллистическом движении электронов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 57–60
© , 2026