Govorkov A V

Publications in Math-Net.Ru

1. Recombination and trapping centers in pure and doped TlBr crystals
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:9 (2014),  1153–1163
2. Electronic properties and deep traps in electron-irradiated $n$-GaN
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:4 (2012),  450–456
3. Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  456–460
4. Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1792–1795
5. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1203–1207
6. New method for investigation of microheterogeneity of local centers in high-ohmic semiconductor-materials using the REM
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:7 (1987),  385–388
7. Effect of Thermal Treatment on Luminescent anf Electro physical Parameters of Near-to-SurfaceLayers of Gallium-Arsenide Monocrystalline Plates
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1588–1593
8. Parastatistics and gauge symmetries
   
   TMF, 53:2 (1982),  283–295