Yurova Elena Sergeevna

Publications in Math-Net.Ru

1. Оптимальные параметры ЭС твердого раствора GaAs$_{1-x}$P$_{x}$ для изготовления датчиков давления
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:10 (1991),  1827–1829
2. Исследование флуктуаций удельного сопротивления в $\gamma$-легированном кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1088–1092
3. Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  2035–2038
4. Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1004–1010
5. Electric Properties of Indium Arsenide Irradiated by Fast Neutrons
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  521–524
6. Electrophysical Properties of Neutron-Doped Si$-$Ge Alloy in the Composition Range from Silicon Side. II. Galvanomagnetic Properties and Inhomogeneities
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2052–2060
7. Electrophysical Properties of Neutron-Doped Si$-$Ge Alloy in the Composition Range from Silicon Side. I. Electrophysical Parameters and $\varepsilon$ Conduction
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2042–2051
8. Peculiarities of Resistivity-Inhomogeneity Formation in Neutron-Doped Silicon
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  933–937
9. Properties of Nucleus-Doped Indium Arsenide
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  822–827
10. On the Nature of Inhomogeneity Formation in InSb
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1585–1588
11. Producing possibility of low current master resistance by the neutron alloying method
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:3 (1985),  129–131