Kurova Ida Aleksandrovna

Publications in Math-Net.Ru

1. Modification of the photoelectric properties of undoped hydrogenated amorphous silicon films under preliminary illumination at elevated temperatures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020),  367–370
2. Modification of the thermal relaxation kinetics of the photoinduced (at $T$ = 425 K) metastable dark conductivity of $a$-Si:H films by weak illumination during the initial stage of relaxation
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:4 (2017),  440–442
3. Light-induced relaxation of the metastable conductivity of undoped $a$-Si:H films illuminated at elevated temperatures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:5 (2015),  603–605
4. On the photoinduced effect in undoped $a$-Si:H films
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:6 (2013),  757–760
5. Specific features of recombination in layered $a$-Si:H films
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:3 (2012),  330–333
6. Specific features of photoelectric properties of layered films of amorphous hydrogenated silicon
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 44:12 (2010),  1624–1628
7. Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках $a$-Si : H
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:11 (1990),  1992–1994
8. О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках $a$-Si : H
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1726–1731
9. Метастабильные состояния в пленках $a$-Si : H, легированных бором
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  314–317
10. Кинетика эффекта Стеблера$-$Вронского в нелегированных пленках $a$-Si : Н
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989),  2030–2033
11. Аномальный эффект Стеблера$-$Вронского в легированных бором пленках $a$-Si : Н
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  573–575
12. Влияние освещения на проводимость легированных пленок $a$-Si : H
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  943–947
13. On the Kinetics of Broken-Bond Formation in $a$-Si : Н Films
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  700–702
14. Photoelectric and Optical Properties of $a$-Si : H Films with Phosphorus and Boron Implanted Ions
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  818–821
15. IR Photoconduction of $a$-Si : Н in Conditions of Eigen Lighting
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  44–47
16. Спектральные зависимости фотопроводимости $a$-Si : Н в ИК области спектра
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1526–1528
17. О фотопроводимости $a$-Si$-$H в ИК области спектра
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1311–1313
18. Фотопроводимость $n$-германия с «отталкивающими» примесными центрами при энергии кванта света, меньшей их термической энергии ионизации
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  549–551