Publications in Math-Net.Ru
-
Влияние деформационных напряжений границы раздела
Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 517–520
-
Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 748–751
-
Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах
в $p$-Si
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 722–725
-
Recombination Activity of Dislocations in Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 767–770
-
Radiation-Induced Variation of Charge-Carrier Lifetime in Dislocation Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 543–545
© , 2026