|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Photosensitivity of the Structure with Long Base and Near-to-Surface Potential Junction Based on CdS Single Crystals in the Fundamental-Absorption Range
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 730–732
-
Many-Point Spectroscopy of Deep
Levels
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985), 2091–2093
-
Исследование параметров, определяющих вольтамперную характеристику
«длинного» диода
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984), 1950–1953
-
Сублинейность вольтамперных характеристик планарных
$n^{+}{-}n{-}n^{+}$- и $M{-}n{-}n^{+}$-структур на монокристаллах
CdSe и ZnSe
при фотовозбуждении
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1678–1681
-
Чувствительность продольных инжекционных фотодиодов на основе
монокристаллов CdS к поляризованному излучению
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984), 1316–1318
-
Bipolar Drift Mobility and Diffusion Effective Coefficient in Compensated Semiconductors
with Two Deep Levels
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 940–941
-
PHOTODETECTORS WITH INJECTION AMPLIFICATION FOR ULTRAVIOLET REGIONS
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:14 (1984), 853–856
© , 2026