Prokhorovich A V

Publications in Math-Net.Ru

1. Influence of irradiation with $\gamma$-ray photons on the photoluminescence of Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$ crystals preliminarily subjected to the intense radiation of a neodymium laser
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:4 (2013),  435–441
2. High-temperature plastic deformation and luminescence properties of $\mathrm{GaAs}$
   
   Fizika Tverdogo Tela, 34:5 (1992),  1390–1394
3. Variation of radiating-center concentration in galium arsenide stimulated by deformation
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:4 (1992),  759–761
4. Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  82–87
5. Понижение термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1363–1366
6. Влияние облучения протонами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  657–661
7. ${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ eV Luminescence Band in $p$-Type GaAs Stimulated by Radiationally-Thermal Effect
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1659–1663
8. Effect of Fast-Electron Irradiation on the Luminescence of $p$-Type GaAs (Si) Heavily Doped and Compensated Layers
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1874–1877
9. Interaction of Radiation-Induced Defects with Chromium Atoms in Gallium Arsenide
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  567–569
10. Variation of Maximum Position and Half width of Luminescence Band due to Radiative Recombination in $V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ Complexes under Electron Irradiation of GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1326–1328
11. Increase of Concentration of Luminescence-Quenching Centers under the Annealing of Electron-Irradiated Gallium-Arsenide Crystals
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1163–1164
12. Decrease of Thermal Stability of $V_{\text{As}}\text{Zn}_{\text{Ga}}$ in GaAs under Irradiation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984),  736–739
13. Изменение внутренней квантовой эффективности излучения, обусловленного глубокими центрами люминесценции, при отжиге облученных электронами кристаллов GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  751–753
14. Изменение рекомбинационных свойств глубоких центров люминесценции при отжиге облученных кристаллов GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  164–166