Smagulova S A

Publications in Math-Net.Ru

1. Углеродные точки на основе трикарбоновых кислот и этилендиамина для органических светоизлучающих диодов
   
   Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 122:7 (2025),  419–426
2. Study of the properties of two-dimensional МоS$_{2}$ and WS$_{2}$ films synthesized by chemical-vapor deposition
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020),  376–387
3. Graphene-oxide films printed on rigid and flexible substrates for a wide spectrum of applications
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:8 (2016),  1086–1094
4. Application of the wavelet transform to the problem of the detection and determination of the Lorentzian positions of the $2D$ band in the Raman spectrum of bilayer graphene
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:6 (2015),  834–838
5. Charge spectroscopy of SiO$_2$ layers with embedded silicon nanocrystals modified by irradiation with high-energy ions
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 45:5 (2011),  591–595
6. Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1137–1139
7. Capacity-Spectroscopy Study of Magnesium-Doped $n$-Type Silicon
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  684–687
8. Dependence of Rates of Defect-Complex Injection in $n$-Type Silicon on Electron-Irradiation Temperature
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  573–575
9. Annealing of Divacancies in Silicon Irradiated by Fast Neutrons
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  561–564
10. On the Parameters of Regions of Disorder in Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  2073–2074
11. Accumulation of Point Defects in Silicon with Regions of Disorder Transformed by Annealing
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  952–955
12. Количественные оценки параметров образования основных радиационных дефектов в кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984),  2177–2181
13. О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования в кремнии $n$-типа
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1663–1666
14. Исследование методом DLTS отжига кремния $n$-типа, облученного нейтронами
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1155–1157
15. К вопросу о методике обработки спектров DLTS
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  162–164
16. Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей в кремнии $n$-типа
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  30–34