Fedosov A V

Publications in Math-Net.Ru

1. Specific features of intervalley scattering of charge carriers in $n$-Si at high temperatures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 44:10 (2010),  1307–1309
2. Особенности пьезосопротивления $\gamma$-облученного $n$-Ge при подсветке
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  754–756
3. Переход от металлической проводимости к активационной в одноосно деформированном $n$-$\text{Ge}\langle\text{Sb}\rangle$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2244–2245
4. Об определении параметра анизотропии подвижности в $n$-Si
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1704–1705
5. Пьезосопротивление облученного германия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1297–1299
6. Piezoresistance of Irradiated $n$-Type Si with Impurity Laminated Distribution
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  545–547
7. On the Anisotropy of Piezoresistance in Irradiated $n$-Type Ge with Laminated Distribution of Impurity
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984),  1135–1137