|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Determination of State Densities in Allowed Bands of Indium Antimonide and Lead Sulphide
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 954–957
-
Stages of Formation of Silicon-Thermal Oxide Interface
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 477–480
-
Комплексный эффект поля на поверхности твердых растворов
группы GaP$_{x}$As$_{1-x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1408–1412
-
Effect of a Field
on the Surfaces of HgTe Semimetal
and Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te Semiconductor
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984), 1064–1068
-
Characteristics of Si$-$SiO$_2$ Interface and Surface Hole Mobility in the Inversion Layer
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 393–397
-
Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов
на полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983), 818–823
-
Граница раздела сверхтонкий собственный окисел–полупроводник
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 398–401
-
МДП-диоды на основе InSb и InAs с $N$-образной ВАХ в области
инверсионных напряжений
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:20 (1983), 1247–1250
© , 2026