Vakulenko O V

Publications in Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость интенсивности примесной люминесценции в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  1053–1057
2. Electron-spin-resonance manifestation of two nonequivalent crystallographic sites of the nitrogen impurity with a cubic environment in $6H$ silicon carbide
   
   Fizika Tverdogo Tela, 30:8 (1988),  2514–2515
3. CHARACTERISTICS OF KINETICS OF ZNSE-TE X-RAY LUMINESCENCE AT HIGH-EXCITATION LEVELS
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:3 (1988),  632–635
4. On the Absorption due to Divacancies in SiC-6$H$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  368–369
5. On the Internal Quantum Yield of Impurity Photoconduction in Semi-Insulating Gallium Arsenide
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  172–174
6. Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1446–1449
7. Инжекционные токи в трикристалле арсенида галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1185–1188
8. Фотоэлектрические свойства арсенида галлия с дислокационными границами зерен
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  881–884