Antyushin V F

Publications in Math-Net.Ru

1. Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991),  708–712
2. Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1871–1873
3. Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  902–905
4. Evaluation of Electron Surface Mobility in the Heterostructure of Gallium Arsenide–Semiconductor with Stoichiometric Vacancies
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1310–1312
5. GALLIUM-ARSENIDE INSULATION COVERING
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:5 (1986),  913–915
6. Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1739–1743