Lomasov Vladimir Nikolaevich

Publications in Math-Net.Ru

1. Радиационная стойкость датчиков МНПВО на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облученных гамма-квантами
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 96:1 (2026),  112–121
2. A compact cryothermostat with solid carbon dioxide refrigerant
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:24 (2019),  3–5
3. Conductivity compensation in $n$-4H-SiC (CVD) under irradiation with 0.9-MeV electrons
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:8 (2014),  1033–1036
4. The formation of shallow-donor distribution profiles in proton irradiation of silicon
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 40:23 (2014),  67–73
5. Electron irradiation controlled profile of recombination center concentration in silicon
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 37:9 (2011),  105–110
6. О природе $K$-центра в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2186–2190
7. О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1841–1847
8. Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1816–1822
9. Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1213–1215
10. Влияние интенсивности электронного облучения на накопление $K$-центров в кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  372–374
11. О природе радиационных дефектов в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2129–2132
12. Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989),  1921–1926
13. Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  753–756
14. Кинетика накопления доноров в селениде свинца при корпускулярном облучении
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  177–178
15. Спектр и пространственное распределение радиационных дефектов в облученном протонами кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  534–536
16. Properties of high pressure deformed silicon crystals
    
    Fizika Tverdogo Tela, 29:5 (1987),  1486–1491
17. Boron and Hydrogen Anomalous Distribution at Considerable Depths in Silicon after Diffusion Stimulated by Proton-Irradiation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1238–1241
18. Rate of Formation of $A$ Centers and Divacancies in $n$-Type Silicon under Electron Irradiation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1136–1138
19. Proton-Stimulated Diffusion of Phosphorus Implanted into Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  360–362
20. Effect of Electron Irradiation on Impurity Diffusion in Monocrystalline Semiconductors
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1577–1581
21. Rate of $A$-Center Formation in Silicon under Electron Pulsed Irradiation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  164–167
22. DIFFUSION OF THE SUBSTITUTION IMPURITY IN THE ION-IRRADIATED CRYSTAL
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2175–2178
23. Effect of Oxygen on Boron Redistribution in Silicon under High-Temperature Proton Irradiation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  143–145
24. REDISTRIBUTION OF A CHARGED ADMIXTURE IN A SEMICONDUCTOR IN CONDITIONS OF PROTON-STIMULATED DIFFUSION
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:6 (1984),  1157–1162
25. Зависимость концентраций радиационных дефектов в кремнии $p$-типа от интенсивности облучения быстрыми электронами
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1496–1497
26. Antimony Diffusion in Silicon Stimulated by Protons
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  958–960
27. Effect of Surface on Radiation Defect Formation in Silicon under High-Temperature Proton Irradiation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  956–958