Sysoev B I

Publications in Math-Net.Ru

1. Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991),  708–712
2. Свойства границы раздела InAs$-$тонкий полуизолирующий слой In$_{2}$S$_{3}$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991),  699–703
3. SCHOTTKY BARRIERS ON GALLIUM-ARSENIDE PRETREATED IN SELENIUM VAPORS
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:9 (1990),  22–26
4. Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1871–1873
5. Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  902–905
6. Evaluation of Electron Surface Mobility in the Heterostructure of Gallium Arsenide–Semiconductor with Stoichiometric Vacancies
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1310–1312
7. GALLIUM-ARSENIDE INSULATION COVERING
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:5 (1986),  913–915
8. On the Determination of Surface Mobility in MDS Structures with Charge Transfer
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  48–52
9. Effect of Impurity-Center Polarization on Carrier Mobility in Two-Dimensional Structures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  140–142