RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Polyakov Aleksandr Yakovlevich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Electric properties of Cr$_2$O$_3$:Mg grown by epitaxy on the sapphire and gallium oxide substrates

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:8 (2025),  466–469
  2. Reduction of external quantum efficiency of ultraviolet LEDs caused by overdoping of barriers with silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:7 (2025),  397–401
  3. Near-field radiation and the effect of non-uniformity of current density distribution in AlInGaN micro-leds

    Optics and Spectroscopy, 132:12 (2024),  1236–1239
  4. Record thick $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$ epitaxial layers grown on GaN/$c$-sapphire

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 93:3 (2023),  403–408
  5. Synthesis of thin single-crystalline $\alpha$-Cr$_2$O$_3$ layers on sapphire substrates by ultrasonic-assisted chemical vapor deposition

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 49:10 (2023),  43–46
  6. Thick epitaxial $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn layers on a patterned sapphire substrate

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:5 (2020),  27–29
  7. Recombination and trapping centers in pure and doped TlBr crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:9 (2014),  1153–1163
  8. Electronic properties of $p$-GaN(Mg) irradiated with reactor neutrons

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:7 (2014),  885–889
  9. Electronic properties and deep traps in electron-irradiated $n$-GaN

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:4 (2012),  450–456
  10. The effect of neutron irradiation and annealing temperature on the electrical properties and lattice constant of epitaxial gallium nitride layers

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 45:1 (2011),  136–142
  11. Влияние выращивания в магнитном поле на электрофизические и рекомбинационные характеристики антимонида индия

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:2 (1992),  21–25
  12. Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей заряда в антимониде индия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:12 (1991),  2132–2134
  13. Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  507–511
  14. Изучение спектра глубоких центров в антимониде индия методом РСГУ

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989),  2088–2090
  15. Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах системы InGaAsP с помощью атомарного водорода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1711–1713
  16. Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1267–1269
  17. Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии в вариантах температурного и частотного сканирования

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  725–727
  18. О диффузии водорода в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  178–180
  19. К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия атомарным водородом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2217–2218
  20. Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1892–1894
  21. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1203–1207
  22. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  44–48
  23. Passivation of electrically active centers in gallium arsenide magnetized microwave hydrogen plasma

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 297:3 (1987),  580–584
  24. On the nature of the fine-structure in gallium arsenide lattice reflection spectra

    Fizika Tverdogo Tela, 29:10 (1987),  2886–2889
  25. On the Behaviour of Vanadium in Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2024–2027
  26. Passivation of Impurity Centers in Gallium Arsenide by Atomic Hydrogen

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1762–1764
  27. Effect of Atomic Hydrogen on the Properties of Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  842–847
  28. New method for investigation of microheterogeneity of local centers in high-ohmic semiconductor-materials using the REM

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:7 (1987),  385–388
  29. On the Determination of Deep-Center Parameters in High-Resistance Semiconductors by Photoelectric Relaxation Spectroscopy of Deep Levels

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1428–1432
  30. Passivation of electric active-centers in gallium-arsenide by hydrogen plasma-flow

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:24 (1986),  1486–1489
  31. On the Nature of Photoluminescence 1.14 eV Band in InP Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  1986–1990
  32. Absorption of Energy Quanta Less than Optical Energy of Impurity Ionization in Manganese-Doped Indium Phoshidae

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1763–1767
  33. Study of the Spectrum of Deep Centers in Epitaxial Structures by Relaxation Spectroscopy of Photoinduced Currents

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  735–737
  34. К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1450–1454

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2026