|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Структуры $a$-Si : H/Si с перестраиваемой областью спектральной
чувствительности
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991), 2034–2037
-
Неаддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пленок
аморфного кремния
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991), 334–336
-
Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем
туннельно-прозрачного диэлектрика
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1886–1888
-
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М$-$ТД$-$П
структурах при инфракрасной подсветке
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 413–417
-
Intercenter carrier transitions in partially disordered silicon: experiment and discussion of results
Fizika Tverdogo Tela, 31:11 (1989), 206–213
-
Intercenter carrier transitions in partially disordered silicon: calculation
Fizika Tverdogo Tela, 31:11 (1989), 197–205
-
The phenomenon of two-stage photogeneration of current carriers in exciplexes
Dokl. Akad. Nauk SSSR, 302:4 (1988), 839–841
-
Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки
на аморфном гидрированном кремнии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 461–464
-
IONIZATION STIMULATION RECONSTRUCTION OF DEFECTS IN SILICON
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:22 (1988), 2017–2021
-
Phenomenon of photogeneration efficiency rising in amorphous polymer semiconductors over the range of absorption of the complex with charge transfer
Dokl. Akad. Nauk SSSR, 294:5 (1987), 1093–1097
-
To the Problem on the Measurement of Capacity Relaxation in the Spectroscopy of Deep Levels
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987), 653–656
-
Effects of Nonadditivity of Photocurrent Excitation in the Contact of Metal-Hydroginated Amorphous Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 661–664
-
Study of Spin-Dependent Recombination in the Films of Silicon on Sapphire
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985), 869–873
-
Спин-зависимая генерация неравновесных носителей заряда
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984), 1552–1555
-
Current–Voltage Characteristic of the Metal–Amorphous-Silicon Contact for Exponential Distribution of
Localized-State Density
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 873–876
© , 2026