Voitsekhovskii Alexandr Vasilyvich

Publications in Math-Net.Ru

1. Admittance of MIS structures based on $nBn$ systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 $\mu$m spectral range
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:12 (2021),  34–37
2. The effect of As$^+$ ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te films
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:4 (2021),  33–35
3. О решении обратной задачи нестационарной фильтрации
   
   Vestnik Chelyabinsk. Gos. Univ., 2003, no. 9,  5–15
4. Ускоренная диффузия индия в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te под воздействием облучения ионами при ${T=300}$ K
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2226–2228
5. Positron Annihilation in HgTe and Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x=0.2}$) Crystals Irradiated by Electrons
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  815–817
6. Optical Constants of Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te at ${\lambda=632.8}$ nm
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  355–356
7. Особенности дефектообразования в приповерхностной области HgCdTe при электронном облучении
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2082–2085
8. QUANTUM OSCILLATION OF THE PHOTO-EMF IN ELECTRON FIELDS IN P-HG1-XCDXTE(X-CONGURENT-TO-0.20) WITH SURFACE INVERSED CHANNELS
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:12 (1984),  742–746
9. Особенности поведения кристаллов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, облученных электронами, при различных температурных обработках
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983),  1876–1879