Rytova Natalya Sergeevna

Publications in Math-Net.Ru

1. Образование молекул водорода в арсениде галлия $n$-типа при его гидрогенизации
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  1078–1080
2. Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  990–996
3. О пассивации электрически активных центров в полупроводниках нейтральным атомарным водородом
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  316–322
4. Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1004–1010
5. On the Spatial Correlation between Donors and Acceptors in Epitaxial Layers of GaP with Isovalent and Rare-Earth Impurities
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2061–2065
6. Electric Properties of Indium Arsenide Irradiated by Fast Neutrons
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  521–524
7. Equilibrium Concentration of Vacancies in Semiconductor Compound during Its Doping by Isovalent Impurities
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1514–1517
8. On the Determination of Deep-Center Parameters in High-Resistance Semiconductors by Photoelectric Relaxation Spectroscopy of Deep Levels
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1428–1432
9. Effect of Isovalent Impurities — Sources of Elastic Stress in a Crystal–on the Behaviour of Point Defects
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1380–1387
10. Properties of Nucleus-Doped Indium Arsenide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  822–827
11. On the Nature of Inhomogeneity Formation in InSb
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1585–1588
12. Особенности дефектообразования в кремнии, содержащем изовалентную примесь олова
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1573–1576
13. Coulomb interaction of electrons in a thin film
    
    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 163:5 (1965),  1118–1120