RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Omel'yanovskii Èrazm Mikhailovich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  507–511
  2. Optical and vibrational properties of $a$-$\mathrm{SiN}_{x}:\mathrm{H}$

    Fizika Tverdogo Tela, 31:10 (1989),  237–241
  3. Optical properties of and chemical bonding in $a$-$\mathrm{Si}_{1-x}\mathrm{C}_{x}:\mathrm{H}$

    Fizika Tverdogo Tela, 31:10 (1989),  231–236
  4. Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах системы InGaAsP с помощью атомарного водорода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1711–1713
  5. Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1267–1269
  6. Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии в вариантах температурного и частотного сканирования

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  725–727
  7. Исследование спектров примесного поглощения $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H методом фотоакустической спектроскопии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  673–676
  8. О диффузии водорода в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  178–180
  9. К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия атомарным водородом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2217–2218
  10. Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных образцах $a$-Si : Н

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  1967–1971
  11. Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1892–1894
  12. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1203–1207
  13. Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  168–171
  14. Исследование спектра локальных состояний $a$-Si : H методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  155–157
  15. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  44–48
  16. Passivation of electrically active centers in gallium arsenide magnetized microwave hydrogen plasma

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 297:3 (1987),  580–584
  17. On the nature of the fine-structure in gallium arsenide lattice reflection spectra

    Fizika Tverdogo Tela, 29:10 (1987),  2886–2889
  18. On the Behaviour of Vanadium in Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2024–2027
  19. Passivation of Impurity Centers in Gallium Arsenide by Atomic Hydrogen

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1762–1764
  20. Optical Transitions in Amorphous Semiconductors with Participation of $D$ Centers

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1631–1636
  21. Effect of Atomic Hydrogen on the Properties of Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  842–847
  22. New method for investigation of microheterogeneity of local centers in high-ohmic semiconductor-materials using the REM

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:7 (1987),  385–388
  23. On the Determination of Deep-Center Parameters in High-Resistance Semiconductors by Photoelectric Relaxation Spectroscopy of Deep Levels

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1428–1432
  24. Energy Spectrum of Deep States in Mobility Gap of $a$-Si : H

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  720–723
  25. Energy Spectrum of $D^0$ Deep Localized States in $a$-Si:H

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  550–552
  26. IR Absorption Spectra of Amorphous Hydrogenated Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  457–461
  27. Passivation of electric active-centers in gallium-arsenide by hydrogen plasma-flow

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:24 (1986),  1486–1489
  28. On the Nature of Photoluminescence 1.14 eV Band in InP Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  1986–1990
  29. Absorption of Energy Quanta Less than Optical Energy of Impurity Ionization in Manganese-Doped Indium Phoshidae

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1763–1767
  30. Special Features of Recombination in Amorphous Hydrogenized Silicon

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1046–1051
  31. Study of the Spectrum of Deep Centers in Epitaxial Structures by Relaxation Spectroscopy of Photoinduced Currents

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  735–737
  32. Optical-Absorption Study of the Density of Localized States in $a$-Si : Н

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  48–52
  33. IR Photoconduction of $a$-Si : Н in Conditions of Eigen Lighting

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  44–47
  34. К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1450–1454
  35. Новый тип примесных дефектов в полуизолирующем арсениде галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1363–1366
  36. Hopping Conduction via Deep Impurity States in InP$\langle\text{Mn}\rangle$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  446–450
  37. Impurities as they occur in strongly alloyed single $n$-type crystals of germanium and silicon

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 149:5 (1963),  1119–1122

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2026