|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика
движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991), 1406–1413
-
Измерение эффективного времени жизни носителей заряда
в полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 529–536
-
Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида
галлия, пассивированной в водном растворе Na$_{2}$S
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 379–384
-
Tunneling surface microscopy of $\mathrm{WSe}_{2}$ crystals
Fizika Tverdogo Tela, 32:5 (1990), 1523–1525
-
Оптическое исследование закрепления уровня Ферми
на поверхности (110)
полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 66–71
-
Spectra of Optical Transitions between Eigen Electron States of the (110) Pure Surface of A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ Compounds
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987), 433–436
-
Optical-detection of physical and chemical sorption of oxygen on the clean surface of $Ga\,As (110)$
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:12 (1987), 709–713
-
Anisotropy in Optical Reflection of Cubic Semiconductors due to Surface Bend of Bands
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986), 1037–1041
-
Stark's effect on exciton levels in a cadmium sulfide crystal
Dokl. Akad. Nauk SSSR, 140:6 (1961), 1285–1288
-
XVIII International Conference on Physics of Semiconductors
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987), 971–973
© , 2026