Параметры прохождения СВЧ-сигнала субгигагерцевого диапазона через наносекундный фотопроводящий полупроводниковый ключ на основе GaAs

V. V. Barmin, I. V. Romanchenko

Institute of High Current Electronics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Tomsk

Received: 07.11.2025
Revised: 04.12.2025
Accepted: 05.12.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.07.62519.20563