V. V. Lendyashova, V. G. Talalaev, D. A. Kirilenko, A. A. Kalinichev, T. Shugabaev, V. A. Pozdeev, A. S. Andreeva, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, G. È. Cirlin, I. V. Ilkiv, “Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 2026, Volume 52, Issue 7,Pages <nobr>16

Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)

V. V. Lendyashova^ab, V. G. Talalaev^a, D. A. Kirilenko^c, A. A. Kalinichev^a, T. Shugabaev^ab, V. A. Pozdeev^b, A. S. Andreeva^ab, I. V. Shtrom^d, R. R. Reznik^ab, G. È. Cirlin^abcd, I. V. Ilkiv^ab

^a Saint Petersburg State University
^b Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg
^c Ioffe Institute, St. Petersburg
^d Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg

Received: 21.10.2025
Revised: 03.12.2025
Accepted: 04.12.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.07.62516.20539