RUS
ENG
Full version
JOURNALS
// Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki
// Archive
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki,
1983
Volume 9,
Issue 20,
Pages
1275–1278
(Mi pjtf1812)
Рекомбинация через глубокие центры при электронно-дырочном рассеянии в полупроводниках
I. V. Grekhov
, A. E. Otblesk
Fulltext:
PDF file (310 kB)
©
Steklov Math. Inst. of RAS
, 2026